Transistor 2N7000 MOSFET
El Transistor 2N7000 es un MOSFET de canal N tipo de mejora, ideal para aplicaciones de conmutación de baja potencia en circuitos digitales y de control. Puede manejar tensiones de drenador-fuente de hasta 60 V y corrientes de hasta 200 mA, con una baja resistencia de encendido (R<sub>DS(on)</sub>), lo que permite una operación eficiente y con mínima disipación de calor. Su alta impedancia de entrada facilita su control directo desde microcontroladores, por lo que es comúnmente usado en automatización, domótica, robótica y sistemas embebidos. Gracias a su encapsulado TO-92, es fácil de integrar en protoboards y placas de circuito impreso, siendo una excelente opción para estudiantes, desarrolladores y profesionales que buscan un interruptor electrónico confiable y compacto.
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- Description
Description
Características:
- Voltaje drain – source: 60 V.
- Voltaje drain – gate: 60 V.
- Voltaje gate – source: 20 V.
- Máxima corriente drain: 200 mA.
- Máxima disipación de potencia: 400 mW.
- Rango de temperatura: – 55 °C ~ +150 °C.
- Empaque: TO – 92.
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